功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流組件，不過，在選用MOSFET時有一些注意事項。
功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導通。因此，柵極驅(qū)動器的負載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容（CEI）的充電。
在計算柵極驅(qū)動電流時，最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容（CISS）和CEI混為一談，于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流。
I = C(dv/dt)
實際上，CEI的值比CISS高很多，必須要根據(jù)MOSFET生產(chǎn)商提供的柵極電荷（QG）指標計算。
QG是MOSFET柵極電容的一部分，計算公式如下：
QG = QGS + QGD + QOD
其中：
QG--總的柵極電荷
QGS--柵極-源極電荷
QGD--柵極-漏極電荷（Miller）
QOD--Miller電容充滿后的過充電荷
開關電源的原理就是將工頻交流變成直流，再將直流變換成高頻交流，通過開關變壓器，反饋穩(wěn)壓等過程變成你所需要的電壓的后，通過整流，濾波，再變換成直流的過程，而MOSFET在整個過程中通過其不斷的開與關，使高壓直流變換成高頻交流電的過程。
