那么如何才能在不影響性能的前提條件下降低電動機的能量消耗呢?這就要看我們今天的主角:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名譯作絕緣柵雙極型晶體管芯片。大家對這個名字一定非常的陌生,沒錯,在寫這篇文章之前我甚至都不知道IGBT確切的中文翻譯是什么。作為新能源汽車最為核心的技術(shù)之一,IGBT模塊的好壞能夠直接影響電動車功率的施放速度,直接控制直流電和交流電的轉(zhuǎn)換,并對交流電機進行變頻控制,從而決定驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩和最大輸出功率。既然能夠決定扭矩和輸出功率,所以IGBT也被稱之為電力電子裝置的CPU。IGBT根據(jù)擊穿電壓的不同可以分為不同的級別,通常1200V及以下的主要用于工業(yè)、汽車和家電上,而軌道交通上使用的通常在2500V至6000V之間,至于電網(wǎng)方面則電壓更大,達到了6500V。
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